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Transistori
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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6,5 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1888284
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STB80NF55-06T4
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
Transistori
Transistore
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 80 A
Tensione massima drain source = 55 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 6,5 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 300 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 9.35mm
Altezza = 4.37mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
6,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
10.4mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
,
1888284
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
STMicroelectronics
,
STB80NF5506T4
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