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Articolo
MOSFET NTPF190N65S3HF 1, canale N, TO-220, 3 Pin Singolo
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1890264
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTPF190N65S3HF
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare laffidabilità del sistema.700 V a TJ = 150 °C Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 35 nC) Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF) Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF) Capacità ottimizzata Tip. RDS(on) = 161 mΩ Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio Minore perdita di commutazione Minore perdita di commutazione Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore Applications Elaborazione Prodotti di consumo Industriale Prodotti finali Notebook/computer desktop/console di gioco Telecomunicazioni/Server Illuminazione/resistenza a LED Adattatore
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
20 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
36 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
10.63mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
1890264
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Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTPF190N65S3HF
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