Categorie
My Mercateo
Accedi / Registrati
Carrello
 
 

MOSFET NTPF190N65S3HF 1, canale N, TO-220, 3 Pin Singolo


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Product Image
Product Image
N. Articolo:
     3369E-1890264
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTPF190N65S3HF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare laffidabilità del sistema.700 V a TJ = 150 °C Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 35 nC) Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF) Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF) Capacità ottimizzata Tip. RDS(on) = 161 mΩ Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio Minore perdita di commutazione Minore perdita di commutazione Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore Applications Elaborazione Prodotti di consumo Industriale Prodotti finali Notebook/computer desktop/console di gioco Telecomunicazioni/Server Illuminazione/resistenza a LED Adattatore
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
20 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
190 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
36 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
10.63mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1890264, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTPF190N65S3HF
Offerte (2)
Stato magazzino
Quantità min.
Spedizione
Prezzo progressivo
Prezzo unitario
^
Magazzino 3369
50
Franco domicilio
a partire da € 1,982*
€ 2,352*
4 giorni
990
1
€ 14,99*
a partire da € 1,82*
€ 5,41*
Prezzi: Magazzino 3369
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
a partire da 50 pezzi
€ 2,352*
€ 2,869
per pezzo
a partire da 100 pezzi
€ 2,302*
€ 2,808
per pezzo
a partire da 15000 pezzi
€ 1,982*
€ 2,418
per pezzo
Ordini solo in multipli di 50 pezzi
Quantità minima di ordine: 50 pezzi ( € 117,60* più IVA )
Stato magazzino: Magazzino 3369
Spedizione: Magazzino 3369
Valore dell'ordine
Spedizione
a partire da € 0,00*
Franco domicilio
Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 3369
Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione.
Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati.
Articoli alternativi
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti articoli alternativi:
Tipo
Immagine
Articolo
N. Art. Produtt.
Prezzo
Simile
ST Microelectronics
STF28N65M2
a partire da € 1,70*
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217