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MOSFET Vishay, canale P, 0,016 Ω, 0,0095 Ω, 18,3 A, SO-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2006797
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     Si4425FDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 18,3 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = TrenchFET® Gen IV
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,016 Ω, 0,0095 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.2V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
18,3 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
TrenchFET® Gen IV
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,016 Ω, 0,0095 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2006797, Semiconduttori, Discreti, Vishay, Si4425FDYT1GE3
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