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Transistori
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MOSFET
>
Articolo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,25 Ω, 5,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2049959
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STN6N60M2
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Il dispositivo STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie al suo layout di striscia e a una struttura verticale migliorata, il dispositivo presenta una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi.Carica di gate estremamente bassa Eccellente profilo di capacità di uscita (Coss) Testato con effetto valanga al 100% Protezione Zener
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
5,5 A
Tensione massima drain source:
25 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
STN6N60M2
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,25 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2049959
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
STMicroelectronics
,
STN6N60M2
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