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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1 Ω, 2,5 A, LBB, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2184818
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     RF3L05150CB4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 2,5 A
Tensione massima drain source = 90 V
Serie = RF3L05150CB4
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 5
Resistenza massima drain source = 1 Ω
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,5 A
Tensione massima drain source:
90 V
Tipo di package:
LBB
Serie:
RF3L05150CB4
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
1 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2184818, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, RF3L05150CB4
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