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Transistori
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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0098 Ω, 60 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2224622
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
BSC098N10NS5ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET
transistor a effetto campo
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effetto campo”; vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.Placcatura senza piombo Conformità RoHS Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
60 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SuperSO8 5 x 6
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0098 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.8V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2224622
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
BSC098N10NS5ATMA1
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