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Transistori
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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,28 Ω, 9 A, TO-252, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2224671
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPD60R280CFD7ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effetto campo”; vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.Prodotto non inquinante (conformità RoHS) MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-252
Serie:
CoolMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,28 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
2224671
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPD60R280CFD7ATMA1
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