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MOSFET Vishay, canale N, 0,00112 Ω, 350 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2282952
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJ136ELP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 350 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Resistenza massima drain source = 0,00112 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.2V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
350 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8L
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
0,00112 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2282952, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQJ136ELPT1_GE3
Riepilogo condizioni1
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