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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2348896
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STH200N10WF7-2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 180 A
Tensione massima drain source = 100 V
Serie = STH200
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
180 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
H2PAK-2
Serie:
STH200
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Altri termini di ricerca: 2348896, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STH200N10WF72
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