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MOSFET ROHM, canale N, 7 A, HUML2020L8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2412264
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RF4L070BGTCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 7 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = HUML2020L8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
HUML2020L8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2412264, Semiconduttori, Discreti, ROHM, RF4L070BGTCR
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