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MOSFET Vishay, canale N, 15 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2567410
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHB15N60E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 15 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
15 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2567410, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHB15N60EGE3
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