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MOSFET Vishay, canale N, 24 A, TO-263, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2567412
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHB24N65E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 24 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = TO-263
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
24 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-263
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2567412, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHB24N65EGE3
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