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MOSFET Infineon, canale N, 17 A, D-PAK, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2575540
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFR024NTRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 17 A
Tensione massima drain source = 55 V
Tipo di package = D-PAK
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
17 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
D-PAK
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2575540, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFR024NTRPBF
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