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Transistor MOSFET Infineon, canale N, 209 A, PG-TO263-7, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2592626
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     SP005578892
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 209 A
Tensione massima drain source = 80 V
Tipo di package = PG-TO263-7
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
209 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PG-TO263-7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: 2592626, Semiconduttori, Discreti, Infineon, SP005578892
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