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MOSFET Nexperia, canale N, 125 A, SOT669, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2604651
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9Y7R0-60ELX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 125 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = SOT669
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
125 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT669
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2604651, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, BUK9Y7R060ELX
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