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MOSFET onsemi, canale P, 530 mΩ, 6,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-6711043
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQD8P10TM
EAN/GTIN:
     5059042345698
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
6,6 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
530 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
6.6mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 6711043, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FQD8P10TM
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