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Articolo
MOSFET onsemi, canale P, 1,8 Ω, 830 mA, SC-89-6, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
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N. Articolo:
3369E-8070713
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDY1002PZ
EAN/GTIN:
5059042027785
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c. I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente. Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
830 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SC-89-6
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
1,8 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
625 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
1.7mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
,
8070713
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
FDY1002PZ
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