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MOSFET IXYS, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-9200739
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTP36N30P
EAN/GTIN:
     5059041034968
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
36 A
Tensione massima drain source:
300 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
110 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5.5V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.66mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 9200739, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXTP36N30P
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