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MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-9200987
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFB210N30P3
EAN/GTIN:
     5059041031844
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
210 A
Tensione massima drain source:
300 V
Tipo di package:
PLUS264
Serie:
HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
14,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
1,89 kW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
20.29mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 9200987, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFB210N30P3
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