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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-APT18M100B
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT18M100B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,7Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 625W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 150nC
Tecnologia: POWER MOS 8®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 68A
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