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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK7Y6R0-60EX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7Y6R0-60EX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 85A
Resistenza nello stato di conduzione: 13,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 195W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 45,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 482A
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