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Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DG30X07T2
Produttore:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     DG30X07T2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 30A
Corrente del collettore nel impulso: 90A
Tempo d'avvio: 0,1µs
Tempo d'interruzione: 306ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 208W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 0,22µC
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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