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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DIW065SIC049-DIO
Produttore:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     DIW065SIC049
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 48A
Resistenza nello stato di conduzione: 50mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 550W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 128nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -5...18V
Corrente di drain pulsata: 135A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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