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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 12V; 55A; 0,9W; PowerDI®3333-8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 12V; 55A; 0,9W; PowerDI®3333-8
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 12V; 55A; 0,9W; PowerDI®3333-8
N. Articolo:
     5068-DMN1004UFV-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN1004UFV-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI®3333-8
Tensione drenaggio-fonte: 12V
Corrente di drenaggio: 55A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,9W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
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