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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-FCP067N65S3
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCP067N65S3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 28A
Resistenza nello stato di conduzione: 67mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 312W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 78nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 110A
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