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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 49A; 104W; PQFN8


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 49A; 104W; PQFN8
N. Articolo:
     5068-FDMS8460
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMS8460
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: PQFN8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 49A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 104W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 110nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: PowerTrench®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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Accessori
ONSEMI FDS8949 MOSFET, DOPPIO, N, SO-8
onsemi
FDS8949
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