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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 9,6A; Idm: 54,4A; 38W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 9,6A; Idm: 54,4A; 38W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 9,6A; Idm: 54,4A; 38W
N. Articolo:
     5068-FQPF19N10
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQPF19N10
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 9,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 38W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 25nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 54,4A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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