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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3
N. Articolo:
     5068-IPD65R1K4CFDBTMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPD65R1K4CFDBTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: PG-TO252-3
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 2,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 28,4W
Polarizzazione: unipolare
Tecnologia: CoolMOS™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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