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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -2,3A; 2W; SO8


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -2,3A; 2W; SO8
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -2,3A; 2W; SO8
N. Articolo:
     5068-IRF7104TRPBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7104TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -2,3A
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: bobina
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
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3M 208-7391-55-1902 SOCKET IC, SOIC, ZIF, A 8 VIE
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