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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 55V; 3,7A; 2,1W; SOT223


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 55V; 3,7A; 2,1W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 55V; 3,7A; 2,1W; SOT223
N. Articolo:
     5068-IRFL4105TRPBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFL4105TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: SOT223
Tensione drenaggio-fonte: 55V
Corrente di drenaggio: 3,7A
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: bobina
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
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€ 0,97*
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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