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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -500V; -40A; 890W; 477ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -500V; -40A; 890W; 477ns
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -500V; -40A; 890W; 477ns
N. Articolo:
     5068-IXTX40P50P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTX40P50P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS247™
Tempo di prontitudine: 477ns
Tensione drenaggio-fonte: -500V
Corrente di drenaggio: -40A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,23Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 890W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 205nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: PolarP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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