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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 108A; Idm: 340A; 625W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-LGE3M14120Q
Produttore:
     LUGUANG ELECTRONIC
N. Art. Produtt.:
     LGE3M14120Q
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: LUGUANG ELECTRONIC
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 108A
Resistenza nello stato di conduzione: 18mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 625W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Carico della porta: 230nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -4...18V
Corrente di drain pulsata: 340A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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