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Transistor di potenza
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 11A; Idm: 38A; 127W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-LGE3M160120E
Produttore:
LUGUANG ELECTRONIC
N. Art. Produtt.:
LGE3M160120E
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore:
LUGUANG ELECTRONIC
Montaggio:
SMD
Corpo:
D2PAK
Tensione drenaggio-fonte:
1,2kV
Corrente di drenaggio:
11A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,285Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
127W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
42nC
Tecnologia:
SiC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
-5...20V
Corrente di drain pulsata:
38A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
smd transistor
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