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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 11A; Idm: 38A; 127W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-LGE3M160120E
Produttore:
     LUGUANG ELECTRONIC
N. Art. Produtt.:
     LGE3M160120E
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: LUGUANG ELECTRONIC
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 11A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,285Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 127W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 42nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -5...20V
Corrente di drain pulsata: 38A
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