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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MMIX1G120N120A3V1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MMIX1G120N120A3V1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: SMPD
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 105A
Corrente del collettore nel impulso: 700A
Tempo d'avvio: 105ns
Tempo d'interruzione: 1365ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 400W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 420nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: BiMOSFET™;GenX3™;PT
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