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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MMIX1X200N60B3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MMIX1X200N60B3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: SMPD
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 120A
Corrente del collettore nel impulso: 1kA
Tempo d'avvio: 140ns
Tempo d'interruzione: 395ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 625W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 315nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: BiMOSFET™;GenX3™;XPT™
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