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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MSC017SMA120B
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     MSC017SMA120B
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 80A
Resistenza nello stato di conduzione: 22mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 455W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 249nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 280A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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