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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 11A; 38W; DPAK


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 11A; 38W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 11A; 38W; DPAK
N. Articolo:
     5068-RFD3055LESM9A
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     RFD3055LESM9A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 11A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,107Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 38W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 11,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±16V
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Trasformatore di corrente EPCOS, ingresso 20A, 20:1
Epcos
B82801B0205A100
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