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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -45V; -1A; Idm: -4A; 800mW; TUMT3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RSF010P05TL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSF010P05TL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TUMT3
Tensione drenaggio-fonte: -45V
Corrente di drenaggio: -1A
Resistenza nello stato di conduzione: 690mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 2,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -4A
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