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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -2,5A; Idm: -10A; 1W; TSMT3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RSR025P03FRATL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSR025P03FRATL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT3
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -2,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,16Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 5,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -10A
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