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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 39A; 165W; TO247


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 39A; 165W; TO247
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 39A; 165W; TO247
N. Articolo:
     5068-SCT3060ALGC11
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT3060ALGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 39A
Resistenza nello stato di conduzione: 60mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 165W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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