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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23
N. Articolo:
     5068-SI2337DS-T1-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2337DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -80V
Corrente di drenaggio: -2,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,27Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 17nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -7A
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