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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 40V; 4,3A; Idm: 20A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SI2356DS-T1-BE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2356DS-T1-BE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 4,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 70mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 13nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 20A
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