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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -150V; -8,9A; Idm: -15A; 33W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SI7115DN-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI7115DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® 1212-8
Tensione drenaggio-fonte: -150V
Corrente di drenaggio: -8,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,295Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 33W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 42nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -15A
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