Categorie
Italia
Italiano
My Mercateo
Accedi / Registrati		Carrello
 		 
 >  >  >  >  >  > Articolo

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 40V; 60A; Idm: 100A


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIE812DF-T1-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIE812DF-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 60A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,4mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 170nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 100A
Riepilogo condizioni1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
a partire da € 5.501,46*
  
Il prezzo è valido a partire da 500 pacchetti
1 pacchetto contiene 3.000 pezzi (a partire da € 1,83382* per pezzo)
Scegli condizioni
Consiglia articoloAggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
1 pacchetto
€ 5.706,30*
€ 6.961,686
per pacchetto
a partire da 2 pacchetti
€ 5.676,81*
€ 6.925,7082
per pacchetto
a partire da 5 pacchetti
€ 5.564,34*
€ 6.788,4948
per pacchetto
a partire da 10 pacchetti
€ 5.515,95*
€ 6.729,459
per pacchetto
a partire da 500 pacchetti
€ 5.501,46*
€ 6.711,7812
per pacchetto
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217