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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIHD7N60E-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHD7N60E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK;TO252
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,6Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 78W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 40nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 18A
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