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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 9A; Idm: 38A; 147W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIHH14N60EF-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHH14N60EF-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® 8x8L
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 266mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 147W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 84nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 38A
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