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Transistori
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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 40V; 100A; Idm: 350A
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-SIR640ADP-T1-GE3
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SIR640ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
VISHAY
Montaggio:
SMD
Corpo:
PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte:
40V
Corrente di drenaggio:
100A
Resistenza nello stato di conduzione:
2,5mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
104W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
90nC
Tecnologia:
TrenchFET®
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
350A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti articoli alternativi:
Tipo
Immagine
Articolo
N. Art. Produtt.
Prezzo
Simile
MOSFET Vishay, canale N, 0,00088 Ω, 0,00116 Ω, 100 A, PowerPak SO-8DC, Montaggio superficiale
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