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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 30V; 59A; Idm: 150A


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIRA12BDP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA12BDP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 59A
Resistenza nello stato di conduzione: 6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 24W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 32nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -16...20V
Corrente di drain pulsata: 150A
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