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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -2,2A; 1W; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -2,2A; 1W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -2,2A; 1W; SOT23
N. Articolo:
     5068-SQ2301ES-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ2301ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -2,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
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