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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SQ3426EV-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ3426EV-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
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Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile.

Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: TSOP6
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 7A
Resistenza nello stato di conduzione: 71mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 6,3nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 29A
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